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CDM(Charged Device Model)作為一種獨(dú)特的ESD(Electrostatic Discharge)模擬方式,與HBM(Human Body Model)和MM(Machine Model)有所區(qū)別。此模型專注于模擬電子設(shè)備在生產(chǎn)或物流環(huán)節(jié)中積累的靜電,在接觸地面或其他導(dǎo)電物體時引發(fā)的快速電荷釋放現(xiàn)象。CDM放電事件的特點(diǎn)是極其迅速的電流上升階段,通常在0.1至0.5納秒之間,整個放電過程大約持續(xù)6至8納秒,其電流峰值相較于HBM模型在相同ESD條件下可達(dá)到數(shù)倍之高。
北測車規(guī)元器件實(shí)驗(yàn)室提供專業(yè)的ESD測試服務(wù),包括針對CDM模型的測試,以確保電子元件在面臨靜電放電時的可靠性和穩(wěn)定性。通過我們的測試和評估,客戶可以更好地了解其產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的挑戰(zhàn),并采取相應(yīng)的措施來保護(hù)其設(shè)備免受ESD損害。

CDM測試裝置主要由一個與高壓電源相連的充電板Field Plate和一個接地的Pogo pin構(gòu)成,Pogo pin能夠在待測IC(DUT)的引腳間移動,以模擬實(shí)際的ESD事件。圖1展示了實(shí)際的測試模塊,而圖2則為等效電路圖,其中CDUT代表DUT與場板之間的電容,CDG代表DUT與地平面之間的電容,CFG代表場板與地平面之間的電容。

圖1:實(shí)際測試各模塊
(CDUT是DUT和場板間的電容,CDG是DUT和地平面間的電容,CFG是場板和地平面間電容。)
在CDM測試規(guī)范統(tǒng)一化之前,存在多個參考標(biāo)準(zhǔn),包括JESD22-C101、ESDA S5.3.1、AEC Q100-011和EIAJ ED-4701/300-2等,這些標(biāo)準(zhǔn)在校準(zhǔn)平臺、示波器帶寬和波形驗(yàn)證參數(shù)等方面存在差異。
技術(shù)進(jìn)步帶來了晶體管性能的提升和更高的IO性能需求。隨著IC芯片對高速IO的需求增加,以及在單一封裝中集成更多功能的趨勢,封裝尺寸的增加對維持JEP157中推薦的CDM放電級別提出了挑戰(zhàn)??紤]到不同測試設(shè)備的充電電阻差異,ESD協(xié)會(ESDA)在2020年的路線圖中建議可能需要重新評估CDM放電目標(biāo)級別。
隨著電子設(shè)備性能的提高,對ESD保護(hù)的需求也在增加,北測車規(guī)元器件實(shí)驗(yàn)室提供專業(yè)的ESD測試服務(wù),幫助客戶評估其產(chǎn)品在靜電放電環(huán)境下的表現(xiàn),并根據(jù)最新的標(biāo)準(zhǔn)和建議提供定制化的解決方案。
通過北測的測試服務(wù),客戶能夠更準(zhǔn)確地掌握產(chǎn)品的ESD性能,確保產(chǎn)品在實(shí)際使用中的可靠性和穩(wěn)定性。如圖3和圖4所示,分別展示了歷年CDM放電目標(biāo)級別的變化和CDM ESD目標(biāo)級別的預(yù)期分布變化。
圖3:歷年來CDM放電的目標(biāo)級別
圖4:CDM ESD目標(biāo)級別的分布預(yù)期的變化
JEP157標(biāo)準(zhǔn)中對CDM放電能力要求的降低反映了幾個關(guān)鍵因素:
1. IC元件引腳數(shù)量和封裝尺寸的顯著增加
在固定的預(yù)充電壓下,限制了芯片的CDM放電能力,尤其是封裝尺寸。引腳數(shù)量和封裝尺寸的增加意味著IC能夠存儲更多的電荷,導(dǎo)致CDM放電時峰值電流迅速上升。因此,在相同的峰值電流限制下,引腳數(shù)量和尺寸的增加會導(dǎo)致CDM能力的降低。
2. IC工藝技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致CDM放電能力的降低
隨著工藝尺寸的縮小,CDM放電能力顯著降低。工藝尺寸的縮小使得有源器件變得更小、更脆弱,金屬互連變得更薄、電阻性增加,降低了ESD保護(hù)電路的魯棒性。這使得在相同的電流水平下,實(shí)現(xiàn)CDM保護(hù)變得更加困難。
3. 隨著高速數(shù)字、射頻模擬和其他性能敏感引腳的混合信號IC變得更加普遍,對ESD保護(hù)提出了新的要求
在高頻電路中,直接將ESD保護(hù)器件連接到I/O引腳可能會導(dǎo)致射頻功能的顯著降低,因此需要將射頻保護(hù)結(jié)構(gòu)與核心電路隔離。這通常通過在ESD保護(hù)器件和引腳之間插入并聯(lián)電感/電容網(wǎng)絡(luò)來實(shí)現(xiàn),該網(wǎng)絡(luò)在低頻ESD事件中提供接近零的阻抗,在正常高頻操作中提供高阻抗。北測車規(guī)元器件測試實(shí)驗(yàn)室致力于為客戶提供專業(yè)的ESD測試服務(wù),幫助他們理解和評估其產(chǎn)品在面對靜電放電時的表現(xiàn),并提供針對性的解決方案,以確保其產(chǎn)品具有足夠的可靠性和穩(wěn)定性。
北測集團(tuán)(以下簡稱"NTEK")成立于2009年,總部位于深圳,主要從事智能網(wǎng)聯(lián)汽車、電子通信、新能源的研發(fā)驗(yàn)證、檢驗(yàn)檢測、失效分析、仿真模擬和市場準(zhǔn)入等質(zhì)量研究技術(shù)服務(wù)。
北測擁有豐富的車規(guī)級電子認(rèn)證經(jīng)驗(yàn),已成功幫助100多家企業(yè)順利通過AEC-Q系列認(rèn)證。北測集團(tuán)以車企車規(guī)元器件國產(chǎn)化需求為牽引,依托國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),提供完善的檢測認(rèn)證服務(wù),通過AEC-Q車用標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格把控汽車元器件安全質(zhì)量,助力國產(chǎn)車規(guī)級元器件大力發(fā)展,為打造智能汽車安全體系再添新動力。