芯片加速老化測(cè)試（HAST）與 芯片高溫工作壽命測(cè)試（HTOL）隨著芯片進(jìn)入汽車、云計(jì)算和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)，隨著時(shí)間的推移，芯片想要實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的功能將變得越來越難以實(shí)現(xiàn)，這也成為開發(fā)人員關(guān)注的焦點(diǎn)。芯片自始至終都在運(yùn)行，IC內(nèi)部模塊也一直在加熱，導(dǎo)致老化和加熱 速度，也許會(huì)帶來各種未知的問題。因此，芯片設(shè)計(jì)公司會(huì)在芯片出廠前進(jìn)行芯片加速老化測(cè)試（HAST）從而篩選和測(cè)試更好的良片。

芯片的使用壽命分為三個(gè)階段。由于制造、設(shè)計(jì)等原因，第一階段是初始故障：故障率高。第二階段是故障：設(shè)備故障機(jī)制產(chǎn)生的故障率很低。第三階段：突破故障，故障效率高。對(duì)于新產(chǎn)品的可靠性，wafer、晶圓廠/密封試驗(yàn)廠通常控制封裝、測(cè)試和批量生產(chǎn)的可靠性，與舊產(chǎn)品沒有太大區(qū)別。

在封裝、運(yùn)輸和焊接過程中，評(píng)估芯片在溫度和濕度方面的耐久性僅限于非密封包裝（塑料密封）。在封裝裝可靠性試驗(yàn)之前，模擬內(nèi)部水蒸氣在芯片長期儲(chǔ)存條件下對(duì)內(nèi)部電路、高溫和時(shí)間的影響。塑料密封僅分為帶偏置（hast）和無偏置uhast測(cè)試，uhast需要提前PC處理。

溫濕度高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST)加速了與85°C/85%相對(duì)濕度測(cè)試失效機(jī)制相同。典型的測(cè)試條件是130°C加壓和非冷凝/85%相對(duì)濕度。通過外部保護(hù)材料部保護(hù)材料（包裝或密封）或金屬導(dǎo)體通過外部保護(hù)材料和金屬導(dǎo)體之間的界面。在高加速度的溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)前，對(duì)表面安裝裝置的樣品進(jìn)行預(yù)處理和最終電氣試驗(yàn)。

高溫工作壽命測(cè)試HTOL）：

隨著國家對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的大力支持，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)全面發(fā)展，一路飆升，集成電路設(shè)計(jì)公司、晶圓廠、封測(cè)廠等相關(guān)企業(yè)數(shù)量急劇增加，整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)快速定位，令人滿意的集成電路質(zhì)量也得到了前所未有的關(guān)注，與質(zhì)量可靠性測(cè)試密切相關(guān)，也成為首要任務(wù)，如何完善最重要的可靠性測(cè)試：高溫工作壽命測(cè)試或HTOL）。

整個(gè)HTOL每個(gè)環(huán)節(jié)都非常重要。一旦某一環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題，導(dǎo)致芯片故障，將直接導(dǎo)致大量的人力、物力和財(cái)力綜合分析相關(guān)原因。而且由于老化過程數(shù)據(jù)不足，難以分析具體原因。此外，由于老化測(cè)試周期長，許多公司很難承受重新進(jìn)行老化測(cè)試的時(shí)間成本。因此，對(duì)于老化試驗(yàn)，從樣品的選擇和測(cè)試、老化板方案的設(shè)計(jì)、外圍設(shè)備的選擇、PCB板設(shè)計(jì)畫板制作，老化試驗(yàn)調(diào)試，setup，電操作、過程監(jiān)控等諸多細(xì)節(jié)都需要特別小心。

規(guī)格：
1、材料：PES/LCP/PPS
2、適用IC尺寸：≤ 36x36mm
3、適用間距：≥ 0.35mm
4、結(jié)構(gòu)：Open-top/翻蓋
5、接觸方式：探針
6、工作溫度：-55°C～+200°C